真空鍍膜機基本技術(shù)要求如下：
1、真空鍍膜機中的真空管道、靜態(tài)密封零部件（法蘭、密封圈等）的結(jié)構(gòu)形式，應符合GB/T6070 的規(guī)定。
2、在低真空和高真空管道上及真空鍍膜室上應安裝真空測量規(guī)管，分別測量各部位的真空度。當發(fā)現(xiàn)電場對測量造成干擾時，應在測量口處安裝電場屏蔽裝置。
3、如果設(shè)備使用的主泵為擴散泵時，應在泵的進氣口一側(cè)裝設(shè)有油蒸捕集阱。
4、設(shè)備的鍍膜室應設(shè)有觀察窗，應設(shè)有擋板裝置。觀察窗應能觀察到沉積源的情況以及其他關(guān)鍵部位。 5、離子鍍沉積源的設(shè)計應盡可能提高鍍膜過程中的離化率，提高鍍膜材料的利用率，合理匹配沉積源的功率，合理布置沉積源在真空室體的位置。
6、合理布置加熱裝置，一般加熱器結(jié)構(gòu)布局應使被鍍工件溫升均勻一致。
7、工件架應與真空室體絕緣，工件架的設(shè)計應使工件膜層均勻。
8、離子鍍膜設(shè)備一般應具有工件負偏壓和離子轟擊電源，離子轟擊電源應具有抑制非正常放電裝置，維持穩(wěn)定。
9、真空室接不同電位的各部分間的絕緣電阻值的大小，均按 GB/T11164-1999。
